IRF520NPBF vs IRLZ34NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF520NPBF מאת Infineon ו IRLZ34NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF520NPBF IRLZ34NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
רמת MSL 1 (unlimited) Not applicable (through-hole)
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
סוג טרנזיסטור — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר