IRF520NPBF vs IRLZ34NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF520NPBF tarafından Infineon ve IRLZ34NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF520NPBF IRLZ34NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
MSL Seviyesi 1 (unlimited) Not applicable (through-hole)
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
Transistor Türü — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin