IRF520NPBF vs IRLZ34NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF520NPBF bằng Infineon và IRLZ34NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF520NPBF IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF520NPBF IRLZ34NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Cấp MSL 1 (unlimited) Not applicable (through-hole)
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
Kiểu transitor — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá