IRF640NPBF vs STP20NF20L तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF640NPBF द्वारा Infineon और STP20NF20L द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics
STP20NF20L ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF640NPBF | STP20NF20L |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | STripFET™ (planar silicon gate) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-220 (through-hole, 3-lead) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.10 Ω (max) |
| Power Dissipation (PD) | — | 110 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge (Qg) | — | Low gate charge (STripFET™ optimized) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | Minimized by STripFET™ process |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Process Technology | — | STripFET™ (low Qg, low Ciss) |