IRF640NPBF vs STP20NF20L So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF640NPBF bằng Infineon và STP20NF20L bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

STMicroelectronics
STP20NF20L STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF640NPBF STP20NF20L
Thương hiệu Infineon STMicroelectronics
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) STripFET™ (planar silicon gate)
Kiểu transitor N-Channel Enhancement Mode —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220 (through-hole, 3-lead)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 0.10 Ω (max)
Power Dissipation (PD) — 110 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) — Low gate charge (STripFET™ optimized)
Input Capacitance (Ciss) — Minimized by STripFET™ process
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Process Technology — STripFET™ (low Qg, low Ciss)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá