IRF640NPBF vs STP20NF20L Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF640NPBF tarafından Infineon ve STP20NF20L tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

STMicroelectronics
STP20NF20L STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF640NPBF STP20NF20L
Marka Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) STripFET™ (planar silicon gate)
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode —
Paket TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220 (through-hole, 3-lead)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 0.10 Ω (max)
Power Dissipation (PD) — 110 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) — Low gate charge (STripFET™ optimized)
Input Capacitance (Ciss) — Minimized by STripFET™ process
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Process Technology — STripFET™ (low Qg, low Ciss)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin