IRF7351TRPBF vs FDS6575 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7351TRPBF द्वारा Infineon और FDS6575 द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7351TRPBF | FDS6575 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7351TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) | Single MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 8 A | -10 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 17.8 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET trench) | PowerTrench (rugged gate) |
| पैकेज | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount | SOIC-8 (SO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (junction) | — |
| Typical Application | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V |
| Gate Drive Voltage Range | — | 2.5 V to 8 V |
| गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Power Dissipation | — | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |