IRF7351TRPBF vs FDS6575 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon اور FDS6575 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7351TRPBF FDS6575
برانڈ Infineon onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Single MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A -10 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) PowerTrench (rugged gate)
پیکیج 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount SOIC-8 (SO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں