IRF7351TRPBF vs FDS6575 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7351TRPBF bằng Infineon và FDS6575 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7351TRPBF | FDS6575 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | onsemi |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7351TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) | Single MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 8 A | -10 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 17.8 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET trench) | PowerTrench (rugged gate) |
| Hộp | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount | SOIC-8 (SO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Typical Application | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V |
| Gate Drive Voltage Range | — | 2.5 V to 8 V |
| Điện áp mức ngưỡng cửa | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] |
| Power Dissipation | — | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |