IRFP260MPBF vs STW45NM50 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFP260MPBF द्वारा Infineon और STW45NM50 द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STW45NM50 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFP260MPBF | STW45NM50 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $9.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 500 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 40 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Input Capacitance Ciss | 1560 pF | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| पैकेज / केस | TO-247AC (3-lead through-hole) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| MSL स्तर | Not Applicable (through-hole) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 30 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.09 ohm |
| Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 1.2 J |
| Power Dissipation (PD) | — | 450 W |
| पैकेज | — | TO-247 |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |