IRFP260MPBF vs STW45NM50 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP260MPBF بذریعہ Infineon اور STW45NM50 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
STMicroelectronics
STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STW45NM50 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFP260MPBF | STW45NM50 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | STMicroelectronics |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 500 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 180 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 40 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Input Capacitance Ciss | 1560 pF | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55°C to +150°C |
| پیکیج / کیس | TO-247AC (3-lead through-hole) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| MSL لیول | Not Applicable (through-hole) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 45 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 30 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±30 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.09 ohm |
| Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 1.2 J |
| Power Dissipation (PD) | — | 450 W |
| پیکیج | — | TO-247 |
| ہیلوجن فری | — | Yes |