IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML0030TRPBF द्वारा Infineon और IRLML2803TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML0030TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | 1.2 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | 540 mW |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +150C (TJ) |
| पैकेज | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET Generation V |
| MSL स्तर | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2803TRPBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |
| RoHS Compliance | — | Compliant, Halogen-Free |