IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML0030TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML2803TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
Kemasan Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
Aras MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga