IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML0030TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2803TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
Paket Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin