IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLML0030TRPBF מאת Infineon ו IRLML2803TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ פעיל
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
מארז Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
רמת MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
סטטוס RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר