IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLML0030TRPBF bằng Infineon và IRLML2803TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
Hộp Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
Cấp MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
Trạng thái RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá