K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | EEPROM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $19.69 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 2400 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel, 16-bit DDR | DDR4 (16-bit data bus) |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +95 C | 0C to +95C |
| पैकेज | 96-FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| विशेषताएँ | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | C-die | C-die (1Y nm class) |
| Memory Format | DRAM | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |