K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCPB
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
میموری سائز 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Clock Frequency 1333 MHz —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR DDR4 (16-bit data bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C 0C to +95C
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation C-die C-die (1Y nm class)
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Memory Organization — 512M x 16
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں