K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics và K4A8G165WC-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCPB
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $19,69 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit 8 Gb
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Clock Frequency 1333 MHz —
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Giao diện Parallel, 16-bit DDR DDR4 (16-bit data bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to +95 C 0C to +95C
Hộp 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Tính năng Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation C-die C-die (1Y nm class)
Memory Format DRAM —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Memory Organization — 512M x 16
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá