K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K4A8G165WC-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCPB
Marka Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $19,69 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Bellek Boyutu 8 Gbit 8 Gb
Organizasyon 512M x 16 —
Veri Hızı 2400 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Clock Frequency 1333 MHz —
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Arayüz Parallel, 16-bit DDR DDR4 (16-bit data bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +95 C 0C to +95C
Paket 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation C-die C-die (1Y nm class)
Memory Format DRAM —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Memory Organization — 512M x 16
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin