K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCWE द्वारा Samsung Electronics और AS4C512M16D4A-62BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCWE | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $38.00 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| इंटरफ़ेस | Differential (CK, /CK) | POD (Pseudo Open Drain) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |