K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور AS4C512M16D4A-62BCNTR بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCWE AS4C512M16D4A-62BCNTR
برانڈ Samsung Electronics Alliance Memory
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $38.00 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Voltage 2.5 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C —
پیکیج 96-FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] 18 ns
Burst Length 8 (BL8) / 4 (BC4) —
Number of Banks 16 —
Row Address Bits 16 —
Column Address Bits 10 —
انٹرفیس Differential (CK, /CK) POD (Pseudo Open Drain)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
JEDEC Standard JEDEC DDR4 —
میموری سائز — 8 Gbit (512M x 16)
سپلائی وولٹیج — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to +95°C (Commercial)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں