K4A8G165WC-BCWE vs AS4C512M16D4A-62BCNTR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCWE توسط Samsung Electronics و AS4C512M16D4A-62BCNTR توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCWE | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $38.00 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| رابط | Differential (CK, /CK) | POD (Pseudo Open Drain) |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS | — | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |