K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BCK00 द्वारा Samsung Electronics और AS4C256M16D3L-12BCN द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS लेटेंसी | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bit |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | — | 800 MHz |
| माउंटिंग स्टाइल | — | SMD/SMT |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0C to +95C (Tc) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel |
| पिन की संख्या | — | 96 |