K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics اور AS4C256M16D3L-12BCN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bit |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | — | 800 MHz |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | — | SMD/SMT |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0C to +95C (Tc) |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| پنز کی تعداد | — | 96 |