K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BCK00 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at AS4C256M16D3L-12BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ NakahandaAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latensya ng CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gbit |
| Width ng Data Bus | — | 16 bit |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | — | 800 MHz |
| Style ng Pagpapasok | — | SMD/SMT |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | — | 0C to +95C (Tc) |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Uri ng Interface | — | Parallel |
| Bilang ng Pins | — | 96 |