K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil K4B4G1646D-BCK00 dari Samsung Electronics dan AS4C256M16D3L-12BCN dari Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktifAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktifPerbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Laju Data | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Tegangan Pemuat | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Paket | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Suhu Kerja | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latensi CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Bebas Halogen | Yes | — |
| Ukuran Memori | — | 4 Gbit |
| Lebar Bus Data | — | 16 bit |
| Frekuensi Bawah Maximum | — | 800 MHz |
| Gaya Mounting | — | SMD/SMT |
| Rentang Suhu Kerja | — | 0C to +95C (Tc) |
| Bebas Halogen | — | Yes |
| Tipe Antarmuka | — | Parallel |
| Jumlah Pin | — | 96 |