K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BPH90 द्वारा Samsung Electronics और W634GU6RB-12 द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Winbond |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| संगठन | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| डेटा दर | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| पैकेज | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| CAS लेटेंसी | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| पिन की संख्या | — | 96 |