K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BPH90 tarafından Samsung Electronics ve W634GU6RB-12 tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BPH90 W634GU6RB-12
Marka Samsung Electronics Winbond
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organizasyon 32M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 —
Veri Hızı 2133 Mb/s per pin 1600 MT/s
Besleme Gerilimi 1.35V (DDR3L) 1.35V
Paket 96FBGA 96-VFBGA (7.5x13)
İşletim Sıcaklığı 0°C to +85°C -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J)
CAS Gecikme Programmable up to 14 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Bellek Boyutu — 4Gbit
Arayüz — Parallel
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Speed Grade — DDR3L-1600 (11-11-11)
RoHS — Compliant
Montaj Türü — Surface Mount
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin