K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 比較
詳細並排比較 K4B4G1646D-BPH90 由 Samsung Electronics 與 W634GU6RB-12 由 Winbond. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Winbond |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| 組織 | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| 資料速率 | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| 供應電壓 | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| 封裝 | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| 工作溫度 | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| CAS 延遲 | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 無鹵素 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| 記憶體容量 | — | 4Gbit |
| 介面 | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| 腳位數 | — | 96 |