K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BPH90 بواسطة Samsung Electronics و W634GU6RB-12 بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Winbond |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| معدل البيانات | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| جهد التغذية | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| العلبة | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| زمن الوصول CAS | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit |
| الواجهة | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | — | 96 |