K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BPH90 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at W634GU6RB-12 sa pamamagitan ng Winbond. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organisasyon | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Rate ng Data | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| Packhaging | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| Latensya ng CAS | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | — | 96 |