K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BPH90 מאת Samsung Electronics ו W634GU6RB-12 מאת Winbond. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Winbond |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| ארגון | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| קצב נתונים | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| מארז | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| השהיית CAS | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit |
| ממשק | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| מספר פינים | — | 96 |