K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYH9 द्वारा Samsung Electronics और W634GU6RB-11TR द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Winbond |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| पैकेज | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| मेमोरी प्रकार | — | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |