K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYH9 توسط Samsung Electronics و W634GU6RB-11TR توسط Winbond. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Winbond |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| دمای کاری | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| تأخیر CAS | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| نوع حافظه | — | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| رابط | — | Parallel |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |