K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYH9 بواسطة Samsung Electronics و W634GU6RB-11TR بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Winbond |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| درجة حرارة التشغيل | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| العلبة | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| نوع الذاكرة | — | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| الواجهة | — | Parallel |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |