K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung Electronics ve W634GU6RB-11TR tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| İşletim Sıcaklığı | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| Paket | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Gecikme | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Bellek Türü | — | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Arayüz | — | Parallel |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |