K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB-11TR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYH9 מאת Samsung Electronics ו W634GU6RB-11TR מאת Winbond. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Winbond |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1333 Mbps | 1866 MT/s |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35V (1.5V compatible) |
| טמפרטורת פעולה | 0 ~ 85 °C | -40°C to +95°C |
| מארז | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| השהיית CAS | Programmable | 13 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| סוג זיכרון | — | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| ממשק | — | Parallel |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |