K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X1008C2D-TF55 द्वारा Samsung Electronics और K6F3216U6M-EF70T द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ जीवन की समाप्ति
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 1 Mbit | 32 Mbit |
| संगठन | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| पैकेज | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| RoHS स्थिति | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |