K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X1008C2D-TF55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6F3216U6M-EF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ اختتامِ زندگی
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | اختتامِ زندگی | فعال |
| میموری ٹائپ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| میموری سائز | 1 Mbit | 32 Mbit |
| تنظیم | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| پیکیج | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| RoHS اسٹیٹس | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| سپلائی وولٹیج | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |