K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T So sánh
So sánh chi tiết song song của K6X1008C2D-TF55 bằng Samsung Electronics và K6F3216U6M-EF70T bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Cuối đờiSamsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung
K6F3216U6M-EF70T ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Cuối chu kỳ cuộc sống | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Kích thước bộ nhớ | 1 Mbit | 32 Mbit |
| Tổ chức | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Hộp | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Trạng thái RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| Điện áp cung cấp | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |