K6X1008C2D-TF55 vs K6F3216U6M-EF70T Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X1008C2D-TF55 tarafından Samsung Electronics ve K6F3216U6M-EF70T tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Son Kullanım Zamanı
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K6X1008C2D-TF55 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | Aktif |
| Bellek Türü | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Bellek Boyutu | 1 Mbit | 32 Mbit |
| Organizasyon | 128K x 8 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | — |
| Technology | Low Power Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Paket | 32-TSOP REVERSE | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| RoHS Durumu | RoHS: Yes (per distributor listing) | NO (per third-party listing) |
| Besleme Gerilimi | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |