MMA1260EGR2 vs MMA1250EGR2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MMA1260EGR2 द्वारा NXP Semiconductors और MMA1250EGR2 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP
MMA1250EGR2 ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MMA1260EGR2 | MMA1250EGR2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Motion Sensors | Motion Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | अंतिम बार खरीदें |
| सेंसर प्रकार | Accelerometer | Accelerometer |
| Sensing Axis | Z | — |
| Acceleration Range | ±1.55 g | — |
| Sensitivity | 1140 mV/g to 1260 mV/g | [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] |
| Bandwidth | 50 Hz (2-pole low-pass filter) | 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) |
| सप्लाई वोल्टेज | 5.0 V (nominal) | 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) |
| आउटपुट प्रकार | Analog voltage (ratiometric) | Analog, ratiometric |
| Output at 0 g | 2.5 V (nominal, ratiometric) | — |
| Self-Test | Yes (electrostatic force activation) | — |
| पैकेज | 16-pin SOIC (SOG) | 16-SOIC (SOP-16), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +85 C (industrial grade) |
| सप्लाई करंट | [DATA_NEEDED: typical supply current] | [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] |
| Zero-g Offset Drift | [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listings) | [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] |
| Axis | — | Z (perpendicular to package top) |
| Full-Scale Range | — | ±5 g |
| Zero-g Output | — | Approximately Vdd/2 (ratiometric) |
| Sensor Technology | — | Micromachined silicon capacitive |
| Internal Features | — | Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test |