MMA1260EGR2 vs MMA1250EGR2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MMA1260EGR2 מאת NXP Semiconductors ו MMA1250EGR2 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP
MMA1250EGR2 ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | MMA1260EGR2 | MMA1250EGR2 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Motion Sensors | Motion Sensors |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | רכישה אחרונה |
| סוג חיישן | Accelerometer | Accelerometer |
| Sensing Axis | Z | — |
| Acceleration Range | ±1.55 g | — |
| Sensitivity | 1140 mV/g to 1260 mV/g | [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g] |
| Bandwidth | 50 Hz (2-pole low-pass filter) | 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter) |
| מתח אספקה | 5.0 V (nominal) | 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions) |
| סוג פלט | Analog voltage (ratiometric) | Analog, ratiometric |
| Output at 0 g | 2.5 V (nominal, ratiometric) | — |
| Self-Test | Yes (electrostatic force activation) | — |
| מארז | 16-pin SOIC (SOG) | 16-SOIC (SOP-16), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +85 C (industrial grade) |
| זרם אספקה | [DATA_NEEDED: typical supply current] | [DATA_NEEDED: quiescent current in mA] |
| Zero-g Offset Drift | [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per distributor listings) | [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page] |
| Axis | — | Z (perpendicular to package top) |
| Full-Scale Range | — | ±5 g |
| Zero-g Output | — | Approximately Vdd/2 (ratiometric) |
| Sensor Technology | — | Micromachined silicon capacitive |
| Internal Features | — | Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test |