MMA1260EGR2 vs MMA1250EGR2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MMA1260EGR2 tarafından NXP Semiconductors ve MMA1250EGR2 tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

NXP Semiconductors
MMA1250EGR2 MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250EGR2 ⚠ Son Satın Alma

Özellik Karşılaştırması

Parametre MMA1260EGR2 MMA1250EGR2
Marka NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategori Motion Sensors Motion Sensors
Yaşam Döngüsü Durumu NRND Son Alış Zamanı
Duyarlılık Türü Accelerometer Accelerometer
Sensing Axis Z —
Acceleration Range ±1.55 g —
Sensitivity 1140 mV/g to 1260 mV/g [DATA_NEEDED: sensitivity in mV/g]
Bandwidth 50 Hz (2-pole low-pass filter) 50 Hz (internal 2-pole low-pass filter)
Besleme Gerilimi 5.0 V (nominal) 5.0 V nominal (per legacy MMA1250 datasheet typical conditions)
Çıkış Türü Analog voltage (ratiometric) Analog, ratiometric
Output at 0 g 2.5 V (nominal, ratiometric) —
Self-Test Yes (electrostatic force activation) —
Paket 16-pin SOIC (SOG) 16-SOIC (SOP-16), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +85 C (industrial grade)
Besleme Akımı [DATA_NEEDED: typical supply current] [DATA_NEEDED: quiescent current in mA]
Zero-g Offset Drift [DATA_NEEDED: zero-g offset over temperature] —
RoHS Durumu Compliant (per distributor listings) [DATA_NEEDED: confirm per NXP product page]
Axis — Z (perpendicular to package top)
Full-Scale Range — ±5 g
Zero-g Output — Approximately Vdd/2 (ratiometric)
Sensor Technology — Micromachined silicon capacitive
Internal Features — Signal conditioning, 2-pole low-pass filter, temperature compensation, self-test

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin