NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-JRI द्वारा Nanya Technology और AS4C512M16D4A-62BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16C4-JRI | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $75.58 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| CAS लेटेंसी | — | 18 ns |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| इंटरफ़ेस | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |