NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 比較
詳細並排比較 NT5AD512M16C4-JRI 由 Nanya Technology 與 AS4C512M16D4A-62BCNTR 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
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AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NT5AD512M16C4-JRI | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Alliance Memory |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 庫存狀態 | In Stock | — |
| 單價 (USD) | $75.58 | — |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| 組織 | 512M x 16 | — |
| 資料速率 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| 工作溫度範圍 | -40°C to +95°C | — |
| 封裝 | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| CAS 延遲 | — | 18 ns |
| 工作溫度 | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| 介面 | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |