NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16C4-JRI bằng Nanya Technology và AS4C512M16D4A-62BCNTR bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5AD512M16C4-JRI AS4C512M16D4A-62BCNTR
Thương hiệu Nanya Technology Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $75,58 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C —
Hộp TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant Compliant
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
Latency CAS — 18 ns
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C (Commercial)
Giao diện — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá