NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16C4-JRI بواسطة Nanya Technology و AS4C512M16D4A-62BCNTR بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16C4-JRI | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $75.58 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| العلبة | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| زمن الوصول CAS | — | 18 ns |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| الواجهة | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |