NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5AD512M16C4-JRI توسط Nanya Technology و AS4C512M16D4A-62BCNTR توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5AD512M16C4-JRI AS4C512M16D4A-62BCNTR
برند Nanya Technology Alliance Memory
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $75.58 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 —
نرخ داده 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
محدوده دمای کاری -40°C to +95°C —
بسته‌بندی TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant Compliant
اندازه حافظه — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
تأخیر CAS — 18 ns
دمای کاری — 0°C to +95°C (Commercial)
رابط — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت